一般情况下单通AAO模板孔的底部都有很厚的阻挡层，孔道与铝基之间这次几十到几百纳米厚的氧化铝绝缘层使得电子无法穿越，即使采用交流电化学沉积都非常困难，更别提直流电化学沉积法了。近期我们公司成功开发出了薄阻挡层单通AAO模板，其阻挡层厚度在10nm以下。如此薄的阻挡层，其能量势垒就比较低，在电化学沉积过程中，电子就很容易从铝基穿过阻挡层。详情请关注公司产品页。