我公司目前完成洁净间建设，可提供各类微米级加工服务，为客户的特殊需求提供订制产品。具体包括：

光刻服务：利用紫外线曝光光刻胶，经显影后形成与掩模具有相同或者互补的结构。拥有高精度光刻机，目前可靠加工精度<2微米，面积尺寸从小面积到标准4英寸，同时可为用户提供光刻掩模的设计加工。

    另外，我公司销售光刻机系列产品，可根据科研经费和具体需求提供合适配置，详情请具体咨询。

光刻掩模

光刻微结构

软光刻: 基于光刻和PDMS倒模工艺，根据用户的具体设计，在基底上（硅片、玻璃）实现微流控芯片或其他器件的制作，以实现快速原型验证。独特的出入口一体化接口技术，实现可靠接入不漏液，省去繁琐接入设计，方便使用。

微流体芯片

微流控芯片：采用精密CNC加工技术，可制作的微流控芯片包括：标准芯片，化学反应芯片，分析检测芯片，液滴成型芯片，细胞分析芯片，浓度梯度芯片，电泳芯片等。

十字型芯片

S型芯片

T型芯片

多入口混合芯片

浓度梯度芯片

细胞分析芯片

旋涂技术：MEMS制造中的重要步骤，旋涂的好坏直接影响到光刻的效果和后续产品的质量。公司提供专业的旋涂技术，样品涵盖1cm，2到4英寸基底，旋涂均匀性好，粘附性高。

激光直写：传统的光刻工艺中所使用的掩膜板需要由专门供应商提供，在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。激光直写技术通过以软件设计电子掩膜板的方法克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图形。

电子束蒸镀：电子束蒸镀是利用加速电子轰击镀膜材料，是物理气相沉积（PVD）的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之蒸发为气态进而沉积在基片上。电子束蒸镀可以镀出高纯度高精度的薄膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：仅仅加热镀材，产生相对小的热量，因此减少了对基底材料的加热；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。（注：电子束蒸镀服务目前已暂停）

纳米压印：通过预制的压印模板，在一定压力下将图形转移到覆盖有压印胶的基底上，压印胶通常是一层很薄的聚合物膜，通过热压或者紫外照射等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印，脱模和刻蚀等三个主要过程。纳米压印技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题，具有分辨率高、低成本、高产率的特点。